IXFP12N65X2厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

锐单电子商城，一站式电子元器件采购平台！

电话：400-990-0325

搜索 IXFP12N65X2 共 8 条相关记录

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFP12N65X2 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1：￥50.363787 +10：￥44.889225 +30：￥41.556408 +100：￥38.769954	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFP12N65X2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 12A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.1148	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X2 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 310 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1134 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 180W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFP12N65X2 ISC(无锡固电) 授权代理品牌	IXFP12N65X2 ISC/无锡固电半导体下载数据手册未分类	+10：￥14.747429 +100：￥11.060572 +500：￥8.848458 +1000：￥7.373714	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IXFP12N65X2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 12A TO220AB 下载数据手册未分类	+10：￥31.981809 +100：￥26.211208 +500：￥22.31543 +1000：￥18.821406	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X2 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 310 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1134 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 180W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFP12N65X2 授权代理品牌	IXFP12N65X2 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	封装/外壳： TO-220-3

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFP12N65X2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 12A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥23.248996 +50：￥18.401085 +100：￥15.772026 +500：￥14.019669 +1000：￥12.004349	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X2 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 310 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1134 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 180W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFP12N65X2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 12A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥65.325172 +50：￥36.404632 +100：￥33.465765 +500：￥28.472597	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X2 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 310 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1134 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 180W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFP12N65X2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 12A TO220AB 下载数据手册未分类	+1：￥62.849165 +10：￥62.683336 +50：￥38.638141 +100：￥35.321563 +250：￥34.492418	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X2 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 310 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1134 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 180W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IXFP12N65X2参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HiPerFET™, Ultra X2
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	310 毫欧 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	18.5 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1134 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	180W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220-3
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）