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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFP4N85X IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 850V 3.5A TO220AB 下载数据手册未分类	+1：￥32.51361	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 850 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 欧姆 2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 247 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB（IXFP）封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFP4N85X IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 850V 3.5A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥25.19019 +10：￥22.610138 +100：￥18.525887 +500：￥15.770613 +1000：￥13.300476	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 850 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 欧姆 2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 247 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB（IXFP）封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFP4N85X IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 850V 3.5A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥61.621879 +10：￥55.310387 +100：￥45.319227 +500：￥38.579098 +1000：￥32.536489	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 850 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 欧姆 2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 247 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB（IXFP）封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

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	IXFP4N85X IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 850V 3.5A TO220AB 下载数据手册未分类	+1：￥60.733782 +10：￥54.56222 +50：￥51.616702 +100：￥44.743825 +500：￥38.011212	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 850 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 欧姆 2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 247 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB（IXFP）封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IXFP4N85X参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HiPerFET™, Ultra X
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	850 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2.5 欧姆 2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	7 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	247 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	150W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220AB（IXFP）
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）