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	IRF6716MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 39A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥23.69664 +200：￥19.7472 +500：￥15.79776 +1000：￥13.1648	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 39A（Ta），180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 毫欧 40A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 59 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5150 pF 13 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），78W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ MX 封装/外壳： DirectFET™ 等容 MX 温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	IRF6716MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 39A DIRECTFET 下载数据手册未分类	+1：￥24.324103 +200：￥9.419307 +500：￥9.080561 +1000：￥8.916652	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 39A（Ta），180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 毫欧 40A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 59 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5150 pF 13 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），78W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ MX 封装/外壳： DirectFET™ 等容 MX 温度： -40°C # 150°C（TJ）

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	IRF6716MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 39A DIRECTFET 下载数据手册未分类	+981：￥9.012131	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 39A（Ta），180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 毫欧 40A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 59 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5150 pF 13 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），78W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ MX 封装/外壳： DirectFET™ 等容 MX 温度： -40°C # 150°C（TJ）
	IRF6716MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 39A DIRECTFET 下载数据手册未分类	+4800：￥13.401949	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 39A（Ta），180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 毫欧 40A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 59 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5150 pF 13 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），78W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ MX 封装/外壳： DirectFET™ 等容 MX 温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF6716MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 39A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4800：￥10.152226	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 39A（Ta），180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 毫欧 40A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 59 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5150 pF 13 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），78W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ MX 封装/外壳： DirectFET™ 等容 MX 温度： -40°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF6716MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 39A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4800：￥24.835033	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 39A（Ta），180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 毫欧 40A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 59 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5150 pF 13 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），78W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ MX 封装/外壳： DirectFET™ 等容 MX 温度： -40°C # 150°C（TJ）
IRF6716MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 39A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥45.153844 +10：￥40.526969 +100：￥33.207586 +500：￥28.269373 +1000：￥24.834893	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： DirectFET™ Isometric MX 供应商器件封装： DIRECTFET™ MX
IRF6716MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 39A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥45.153844 +10：￥40.526969 +100：￥33.207586 +500：￥28.269373 +1000：￥24.834893	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： DirectFET™ Isometric MX 供应商器件封装： DIRECTFET™ MX
IRF6716MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IRF6716 - 12V-300V N-CHANNEL POW 下载数据手册未分类	+221：￥18.953465	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： DirectFET™ Isometric MX Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -40°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 39A (Ta), 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 1.6mOhm @ 40A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 3.6W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 2.4V @ 100µA Supplier Device Package： DIRECTFET™ MX Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 59 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 5150 pF @ 13 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF6716MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 39A DIRECTFET 下载数据手册未分类	+4800：￥28.969054	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 39A（Ta），180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 毫欧 40A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 59 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5150 pF 13 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），78W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ MX 封装/外壳： DirectFET™ 等容 MX 温度： -40°C # 150°C（TJ）

IRF6716MTRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	不适用于新设计
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	39A（Ta），180A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.6 毫欧 40A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.4V 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	59 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	5150 pF 13 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.6W（Ta），78W（Tc）
工作温度:	-40°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	DIRECTFET™ MX
封装/外壳:	DirectFET™ 等容 MX
温度:	-40°C # 150°C（TJ）