IXTY48P05T厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTY48P05T IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 50V 48A TO-252 下载数据手册未分类	+1：￥41.436208 +10：￥40.583881 +30：￥40.015663 +70：￥39.436517	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： TrenchP™ 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 48A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 24A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 53 nC 10 V Vgs（最大值）： ±15V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3660 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTY48P05T VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IXTY48P05T VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥6.662248 +10：￥5.829452 +30：￥4.788632 +100：￥4.455352 +2500：￥4.288885	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IXTY48P05T 授权代理品牌	IXTY48P05T VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+4：￥5.77269 +50：￥5.476658 +2500：￥5.328581	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IXTY48P05T JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	IXTY48P05T JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+50：￥2.791265 +150：￥2.744845 +250：￥2.67504	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTY48P05T IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 50V 48A TO-252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥23.580913 +10：￥21.151901 +100：￥17.330494 +500：￥14.753023 +1000：￥12.44233	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： TrenchP™ 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 48A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 24A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 53 nC 10 V Vgs（最大值）： ±15V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3660 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTY48P05T IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 50V 48A TO-252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥65.325172 +70：￥34.918064 +140：￥32.2047 +560：￥28.47275	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： TrenchP™ 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 48A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 24A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 53 nC 10 V Vgs（最大值）： ±15V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3660 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTY48P05T IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 50V 48A TO-252 下载数据手册晶体管	+1：￥63.014994 +10：￥53.396916 +25：￥37.974825 +70：￥34.824076 +560：￥32.999958	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： TrenchP™ 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 48A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 24A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 53 nC 10 V Vgs（最大值）： ±15V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3660 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTY48P05T Littelfuse 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 50V 48A 3-Pin(2+Tab) DPAK 下载数据手册未分类	+1：￥33.044988 +70：￥30.831671 +140：￥30.088738 +560：￥28.138543	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTY48P05T Littelfuse(美国力特) 授权代理品牌	MOSFET, P-CH, 50V, 48A, TO-252 下载数据手册未分类	+1：￥37.856828 +10：￥21.603289 +100：￥21.501147 +500：￥21.399002 +1000：￥21.284091	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXTY48P05T参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	TrenchP™
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	48A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	30 毫欧 24A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	53 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3660 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	150W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-252AA
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 150°C（TJ）