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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF6646TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥28.507842 +300：￥19.278688 +1000：￥14.151434 +4800：￥10.254629 +9600：￥9.741952	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Ta），68A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.5 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 50 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2060 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ MN 封装/外壳： DirectFET™ 等容 MN 温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF6646TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET 下载数据手册	+1：￥17.483632 +200：￥6.768542 +500：￥6.535144 +1000：￥6.418445	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Ta），68A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.5 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 50 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2060 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ MN 封装/外壳： DirectFET™ 等容 MN 温度： -40°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF6646TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.646409	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Ta），68A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.5 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 50 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2060 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ MN 封装/外壳： DirectFET™ 等容 MN 温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF6646TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4800：￥7.490579	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Ta），68A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.5 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 50 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2060 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ MN 封装/外壳： DirectFET™ 等容 MN 温度： -40°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF6646TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4800：￥18.323941	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Ta），68A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.5 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 50 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2060 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ MN 封装/外壳： DirectFET™ 等容 MN 温度： -40°C # 150°C（TJ）
IRF6646TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥44.977988 +10：￥30.949139 +100：￥22.440039 +500：￥18.690956 +1000：￥18.323941	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： DirectFET™ Isometric MN 供应商器件封装： DIRECTFET™ MN
IRF6646TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥44.977988 +10：￥30.949139 +100：￥22.440039 +500：￥18.690956 +1000：￥18.323941	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： DirectFET™ Isometric MN 供应商器件封装： DIRECTFET™ MN

Mouser

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	IRF6646TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Ta），68A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.5 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 50 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2060 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ MN 封装/外壳： DirectFET™ 等容 MN 温度： -40°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF6646TRPBF Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 80V 12A 7-Pin Direct-FET MN T/R 下载数据手册未分类	+1：￥31.599272 +10：￥28.768463 +100：￥24.810945 +250：￥24.56282 +500：￥22.103416	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IRF6646TRPBF Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 80V 12A 7-Pin Direct-FET MN T/R 下载数据手册未分类	+1：￥27.387389 +10：￥25.608378 +25：￥25.358692 +100：￥22.971074 +250：￥22.861838	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRF6646TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	12A（Ta），68A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	9.5 毫欧 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.9V 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	50 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2060 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.8W（Ta），89W（Tc）
工作温度:	-40°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	DIRECTFET™ MN
封装/外壳:	DirectFET™ 等容 MN
温度:	-40°C # 150°C（TJ）