IPSA70R750P7SAKMA1厂家价格_数据手册

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	IPSA70R750P7SAKMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 6.5A TO251-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.642304 +10：￥5.761536 +30：￥4.80128	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 750 毫欧 1.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 70µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.3 nC 400 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 306 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 34.7W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO251-3 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）

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	IPSA70R750P7SAKMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 6.5A TO251-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.408379 +30：￥8.719961	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 750 毫欧 1.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 70µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.3 nC 400 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 306 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 34.7W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO251-3 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）

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	IPSA70R750P7SAKMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 6.5A TO251-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.089009	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 750 毫欧 1.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 70µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.3 nC 400 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 306 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 34.7W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO251-3 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）

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	IPSA70R750P7SAKMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 6.5A TO251-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥2.4838 +5000：￥2.449187	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 750 毫欧 1.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 70µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.3 nC 400 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 306 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 34.7W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO251-3 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）

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	IPSA70R750P7SAKMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 6.5A TO251-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 750 毫欧 1.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 70µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.3 nC 400 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 306 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 34.7W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO251-3 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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Digi-Key

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	IPSA70R750P7SAKMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 6.5A TO251-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.103237 +10：￥9.646837 +100：￥6.682129	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 750 毫欧 1.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 70µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.3 nC 400 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 306 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 34.7W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO251-3 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）

Mouser

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	IPSA70R750P7SAKMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 6.5A TO251-3 下载数据手册未分类	+1：￥12.577149 +10：￥10.927418 +100：￥7.578957 +500：￥7.284945 +1000：￥6.19057	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 750 毫欧 1.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 70µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.3 nC 400 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 306 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 34.7W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO251-3 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）

IPSA70R750P7SAKMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ P7
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	6.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	750 毫欧 1.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 70µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	8.3 nC 400 V
Vgs（最大值）:	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	306 pF 400 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	34.7W（Tc）
工作温度:	-40°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO251-3
封装/外壳:	TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
温度:	-40°C # 150°C（TJ）