IRL3705NSTRLPBF厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL3705NSTRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥23.756898 +100：￥16.065775 +400：￥11.793023 +800：￥8.545625 +1600：￥8.118374	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 89A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 毫欧 46A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），170W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL3705NSTRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.598502	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 89A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 毫欧 46A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），170W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IRL3705NSTRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥9.60983 +1600：￥7.96244 +2400：￥7.413347 +5600：￥7.138772	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 89A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 毫欧 46A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），170W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRL3705NSTRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥23.508192 +1600：￥19.478237 +2400：￥18.135012 +5600：￥17.463329	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 89A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 毫欧 46A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），170W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRL3705NSTRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥39.667963 +10：￥35.6027 +100：￥28.612981	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D2PAK
IRL3705NSTRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥39.667963 +10：￥35.6027 +100：￥28.612981	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D2PAK

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL3705NSTRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK 下载数据手册晶体管	+1：￥45.346347 +10：￥40.683069 +100：￥32.803741 +500：￥27.014845 +800：￥23.959595	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 89A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 毫欧 46A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），170W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL3705NSTRLPBF 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 下载数据手册未分类	+800：￥14.233647 +1600：￥13.855966 +2400：￥13.346506 +4800：￥13.212007 +5600：￥13.07751	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRL3705NSTRLPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	89A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	10 毫欧 46A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	98 nC 5 V
Vgs（最大值）:	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3600 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.8W（Ta），170W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	D2PAK
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-55°C # 175°C（TJ）