品牌: Infineon Technologies
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: HEXFET®
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 61A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,7V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 13 毫欧 37A,7V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 700mV 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 58 nC 4.5 V
Vgs(最大值): ±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2500 pF 15 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 89W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D2PAK
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
温度: -55°C # 150°C(TJ)