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IPU60R1K5CEAKMA1参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | Infineon Technologies |
包装: | 管件 |
封装/外壳: | * |
系列: | CoolMOS™ CE |
零件状态: | 停产 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 600 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 3.1A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | - |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 1.5 欧姆 1.1A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 3.5V 90µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 9.4 nC 10 V |
Vgs(最大值): | - |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 200 pF 100 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | - |
工作温度: | -40°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | PG-TO251-3 |
封装/外壳: | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA |
温度: | -40°C # 150°C(TJ) |