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自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTA4N70X2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 4A TO263 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+50：￥12.669485	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Ultra X2 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 850 毫欧 2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 386 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 80W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263（D2Pak）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTA4N70X2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	DISCMSFT NCHULTRAJNCTN X2CLASS T 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+50：￥30.992919	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Ultra X2 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 850 毫欧 2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 386 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 80W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263（D2Pak）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTA4N70X2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	DISCMSFT NCHULTRAJNCTN X2CLASS T 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Ultra X2 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 850 毫欧 2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 386 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 80W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263（D2Pak）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： 150°C（TJ）

IXTA4N70X2参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	Ultra X2
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	850 毫欧 2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	11.8 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	386 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	80W（Tc）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-263（D2Pak）
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	150°C（TJ）