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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF6618TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥24.232186 +10：￥20.597346 +30：￥16.962506 +100：￥15.145086 +500：￥13.933513	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A (Ta), 170A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.2mOhm 30A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 65 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5640 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W (Ta), 89W (Tc) 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： DIRECTFET™ MT 封装/外壳： DirectFET™ Isometric MT 温度： -40°C # 150°C (TJ)

自营现货库存

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	IRF6618TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.46016 +10：￥10.96624 +30：￥10.035246 +100：￥9.25581 +500：￥8.736186	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A (Ta), 170A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.2mOhm 30A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 65 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5640 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W (Ta), 89W (Tc) 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： DIRECTFET™ MT 封装/外壳： DirectFET™ Isometric MT 温度： -40°C # 150°C (TJ)

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	IRF6618TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.486967	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A (Ta), 170A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.2mOhm 30A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 65 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5640 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W (Ta), 89W (Tc) 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： DIRECTFET™ MT 封装/外壳： DirectFET™ Isometric MT 温度： -40°C # 150°C (TJ)

自营国内现货

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	IRF6618TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A (Ta), 170A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.2mOhm 30A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 65 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5640 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W (Ta), 89W (Tc) 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： DIRECTFET™ MT 封装/外壳： DirectFET™ Isometric MT 温度： -40°C # 150°C (TJ)

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF6618TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A (Ta), 170A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.2mOhm 30A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 65 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5640 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W (Ta), 89W (Tc) 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： DIRECTFET™ MT 封装/外壳： DirectFET™ Isometric MT 温度： -40°C # 150°C (TJ)
IRF6618TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥50.179524 +10：￥32.708483 +100：￥22.7659 +500：￥18.515939 +1000：￥17.150382	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： DirectFET™ Isometric MT 供应商器件封装： DIRECTFET™ MT
IRF6618TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥37.231991 +10：￥30.930077 +100：￥24.618024 +500：￥20.830501 +1000：￥17.674331	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： DirectFET™ Isometric MT 供应商器件封装： DIRECTFET™ MT
IRF6618TRPBF International 授权代理品牌	IRF6618 - DIRECTFET POWER MOSFET 下载数据手册未分类	+72：￥15.609066	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： DirectFET™ Isometric MT Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -40°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 30A (Ta), 170A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 2.2mOhm @ 30A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 2.35V @ 250µA Supplier Device Package： DIRECTFET™ MT Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 65 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 5640 pF @ 15 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF6618TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET 下载数据手册未分类	+1：￥32.120175 +10：￥29.174657 +100：￥24.26546 +500：￥20.618628 +1000：￥18.093897	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A (Ta), 170A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.2mOhm 30A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 65 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5640 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W (Ta), 89W (Tc) 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： DIRECTFET™ MT 封装/外壳： DirectFET™ Isometric MT 温度： -40°C # 150°C (TJ)

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF6618TRPBF 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 7-Pin Direct-FET MT T/R 下载数据手册未分类	+1：￥31.786956 +10：￥28.707205 +25：￥28.470192 +100：￥20.735837 +250：￥19.767792	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRF6618TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	Active
FET 类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	30A (Ta), 170A (Tc)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V, 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2.2mOhm 30A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.35V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	65 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	5640 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.8W (Ta), 89W (Tc)
工作温度:	-40°C # 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商器件封装:	DIRECTFET™ MT
封装/外壳:	DirectFET™ Isometric MT
温度:	-40°C # 150°C (TJ)