IPB180N04S302ATMA1厂家价格_数据手册

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	IPB180N04S302ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥53.958859 +200：￥21.537649 +500：￥20.816449 +1000：￥20.455849	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 230µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 210 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 14300 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-7-3 封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IPB180N04S302ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥20.65747	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 230µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 210 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 14300 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-7-3 封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPB180N04S302ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥50.533645	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 230µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 210 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 14300 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-7-3 封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）温度： -55°C # 175°C（TJ）
IPB180N04S302ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥76.526201	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) 供应商器件封装： PG-TO263-7-3
IPB180N04S302ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) 供应商器件封装： PG-TO263-7-3

艾睿

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	IPB180N04S302ATMA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 40V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R 下载数据手册未分类	+1000：￥52.077432 +2000：￥51.549748 +3000：￥51.034627 +4000：￥50.519506 +5000：￥50.016949	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPB180N04S302ATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™
零件状态:	不适用于新设计
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	180A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.5 毫欧 80A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 230µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	210 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	14300 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	300W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO263-7-3
封装/外壳:	TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）
温度:	-55°C # 175°C（TJ）