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搜索 IRFR9014N 共 8 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFR9014N UDU SEMICONDUTOR 授权代理品牌	IRFR9014N UDU SEMICONDUTOR 下载数据手册未分类	+500：￥1.329417 +1000：￥1.269168 +2000：￥1.200623	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRFR9014N JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	IRFR9014N JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+50：￥1.455263 +2500：￥1.366636 +7500：￥1.328652 +17500：￥1.290779	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRFR9014N VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRFR9014N VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥2.320585 +2500：￥2.223989 +7500：￥2.127176 +10000：￥1.972513	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRFR9014N 授权代理品牌	IRFR9014N UDU SEMICONDUTOR/佑德半导体下载数据手册未分类	+500：￥1.416933 +1000：￥1.367965 +1500：￥1.319693	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRFR9014N JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	IRFR9014N JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+50：￥2.254012 +150：￥2.216389 +250：￥2.160244	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFR9014N INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.1A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 500 毫欧 3.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 270 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），25W（Tc）工作温度： - 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFR9014N INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+75：￥12.701999	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.1A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 500 毫欧 3.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 270 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），25W（Tc）工作温度： - 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFR9014N INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.1A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 500 毫欧 3.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 270 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），25W（Tc）工作温度： - 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -

IRFR9014N参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	停产
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	5.1A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	500 毫欧 3.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	12 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	270 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W（Ta），25W（Tc）
工作温度:	-
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	D-Pak
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-