IRL7486MTRPBF厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 IRL7486MTRPBF 共 18 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL7486MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 209A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥16.819 +300：￥11.374 +1000：￥8.349 +4800：￥6.05 +9600：￥5.7475	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 209A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.25 毫欧 123A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 111 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6904 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 104W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DirectFET™ Isometric ME 封装/外壳： DirectFET™ Isometric ME 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL7486MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 209A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.987834 +10：￥6.600071 +30：￥5.835162 +100：￥4.971908 +500：￥4.589453	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 209A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.25 毫欧 123A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 111 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6904 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 104W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DirectFET™ Isometric ME 封装/外壳： DirectFET™ Isometric ME 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL7486MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 209A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.929	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 209A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.25 毫欧 123A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 111 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6904 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 104W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DirectFET™ Isometric ME 封装/外壳： DirectFET™ Isometric ME 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL7486MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 209A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4800：￥6.097529	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 209A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.25 毫欧 123A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 111 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6904 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 104W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DirectFET™ Isometric ME 封装/外壳： DirectFET™ Isometric ME 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRL7486MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 209A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4800：￥14.916169	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 209A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.25 毫欧 123A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 111 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6904 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 104W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DirectFET™ Isometric ME 封装/外壳： DirectFET™ Isometric ME 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRL7486MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 209A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥38.399575 +10：￥26.298354 +100：￥18.918293 +500：￥15.659683 +1000：￥14.916169	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： DirectFET™ Isometric ME 供应商器件封装： DirectFET™ Isometric ME
IRL7486MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 209A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥38.399575 +10：￥26.298354 +100：￥18.918293 +500：￥15.659683 +1000：￥14.916169	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： DirectFET™ Isometric ME 供应商器件封装： DirectFET™ Isometric ME
IRL7486MTRPBF International 授权代理品牌	IRL7486M - 12V-300V N-CHANNEL PO 下载数据手册未分类	+249：￥17.287981	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： International Rectifier 包装： Bulk 封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 209A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.25mOhm 123A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 111 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6904 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 104W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： DirectFET™ Isometric ME 封装/外壳： DirectFET™ Isometric ME 温度： -55°C # 150°C (TJ)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL7486MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 209A DIRECTFET 下载数据手册未分类	+1：￥26.132576 +10：￥22.866004 +100：￥19.599431 +500：￥17.639489 +1000：￥17.149502	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 209A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.25 毫欧 123A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 111 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6904 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 104W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DirectFET™ Isometric ME 封装/外壳： DirectFET™ Isometric ME 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL7486MTRPBF 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 40V 209A 10-Pin Direct-FET ME T/R 下载数据手册未分类	+4800：￥14.305059	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRL7486MTRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®, StrongIRFET™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	209A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.25 毫欧 123A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	111 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	6904 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	104W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	DirectFET™ Isometric ME
封装/外壳:	DirectFET™ Isometric ME
温度:	-55°C # 150°C（TJ）