IPD110N12N3GATMA1厂家价格_数据手册

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	IPD110N12N3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.752124 +10：￥11.145815 +30：￥10.140507 +100：￥9.113343 +500：￥7.310344	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 120 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 83µA（标准）不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 65 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4310 pF 60 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 136W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPD110N12N3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.828774	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 120 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 83µA（标准）不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 65 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4310 pF 60 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 136W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IPD110N12N3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥10.023554	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 120 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 83µA（标准）不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 65 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4310 pF 60 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 136W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPD110N12N3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥17.320668	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 120 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 83µA（标准）不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 65 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4310 pF 60 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 136W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IPD110N12N3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥30.64293 +10：￥27.54157 +100：￥22.135811 +500：￥18.186581 +1000：￥17.320668	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-3
IPD110N12N3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.82118	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-3

Mouser

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	IPD110N12N3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 120 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 83µA（标准）不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 65 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4310 pF 60 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 136W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

IPD110N12N3GATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	120 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	75A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	11 毫欧 75A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 83µA（标准）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	65 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4310 pF 60 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	136W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO252-3
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 175°C（TJ）