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IXTA42N15T_未分类
IXTA42N15T
授权代理品牌

N沟道 耐压:150V 电流:42A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):150V 连续漏极电流(Id):42A 功率(Pd):200W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):45mΩ@21A,10V 阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA

未分类

+1:

¥17.713105

+200:

¥6.862326

+500:

¥6.621926

+1000:

¥6.501726

库存: 1000 +

国内:1~2 天

耐压: 150V

电流: 42A

类型: N沟道

漏源电压(Vdss): 150V

连续漏极电流(Id): 42A

功率(Pd): 200W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 45mΩ@21A,10V

阈值电压(Vgs(th)@Id): 4.5V@250uA

Digi-Key
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IXTA42N15T_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+300:

¥29.041333

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: Trench

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 150 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 42A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 45 毫欧 21A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 21 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1880 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 200W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-263(D2Pak)

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Mouser
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IXTA42N15T_未分类
IXTA42N15T
授权代理品牌

MOSFET N-CH 150V 42A TO263

未分类

+1:

¥55.785041

+10:

¥49.139802

+50:

¥41.620187

+100:

¥37.772943

+250:

¥35.674447

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: Trench

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 150 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 42A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 45 毫欧 21A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 21 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1880 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 200W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-263(D2Pak)

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 175°C(TJ)

IXTA42N15T参数规格

属性 参数值
耐压: 150V
电流: 42A
类型: N沟道
漏源电压(Vdss): 150V
连续漏极电流(Id): 42A
功率(Pd): 200W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 45mΩ@21A,10V
阈值电压(Vgs(th)@Id): 4.5V@250uA