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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF6795MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥18.149879 +200：￥15.125 +500：￥12.1 +1000：￥10.083293	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 32A（Ta），160A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.8 毫欧 32A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 53 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4280 pF 13 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta），75W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ MX 封装/外壳： DirectFET™ 等容 MX 温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF6795MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET 下载数据手册	+1：￥18.609141 +200：￥7.201071 +500：￥6.949744 +1000：￥6.829544	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 32A（Ta），160A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.8 毫欧 32A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 53 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4280 pF 13 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta），75W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ MX 封装/外壳： DirectFET™ 等容 MX 温度： -40°C # 150°C（TJ）

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	IRF6795MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.545616	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 32A（Ta），160A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.8 毫欧 32A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 53 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4280 pF 13 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta），75W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ MX 封装/外壳： DirectFET™ 等容 MX 温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IRF6795MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4800：￥7.217124	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 32A（Ta），160A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.8 毫欧 32A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 53 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4280 pF 13 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta），75W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ MX 封装/外壳： DirectFET™ 等容 MX 温度： -40°C # 150°C（TJ）
	IRF6795MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IRF6795 - 12V-300V N-CHANNEL POW 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4800：￥7.217124	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 32A（Ta），160A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.8 毫欧 32A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 53 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4280 pF 13 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta），75W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ MX 封装/外壳： DirectFET™ 等容 MX 温度： -40°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF6795MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4800：￥17.654998	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 32A（Ta），160A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.8 毫欧 32A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 53 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4280 pF 13 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta），75W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ MX 封装/外壳： DirectFET™ 等容 MX 温度： -40°C # 150°C（TJ）
IRF6795MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥35.729951 +10：￥32.079281 +100：￥25.786409 +500：￥21.18579 +1000：￥17.654998	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： DirectFET™ Isometric MX 供应商器件封装： DIRECTFET™ MX
IRF6795MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥35.729951 +10：￥32.079281 +100：￥25.786409 +500：￥21.18579 +1000：￥17.654998	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： DirectFET™ Isometric MX 供应商器件封装： DIRECTFET™ MX

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF6795MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET 下载数据手册未分类	+1：￥37.518114 +10：￥33.834517 +100：￥27.285901 +500：￥22.37444 +1000：￥21.283003	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 32A（Ta），160A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.8 毫欧 32A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 53 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4280 pF 13 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta），75W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ MX 封装/外壳： DirectFET™ 等容 MX 温度： -40°C # 150°C（TJ）

IRF6795MTRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	32A（Ta），160A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.8 毫欧 32A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.35V 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	53 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4280 pF 13 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.8W（Ta），75W（Tc）
工作温度:	-40°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	DIRECTFET™ MX
封装/外壳:	DirectFET™ 等容 MX
温度:	-40°C # 150°C（TJ）