IPD80R450P7ATMA1厂家价格_数据手册

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	IPD80R450P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 11A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥30.814586 +10：￥26.192386 +30：￥21.570186 +100：￥19.259086 +500：￥17.718393	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 450 毫欧 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 220µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 770 pF 500 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 73W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-2 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IPD80R450P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 11A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥16.198028	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 450 毫欧 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 220µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 770 pF 500 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 73W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-2 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IPD80R450P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 11A TO252 下载数据手册未分类	+10：￥25.962066 +100：￥20.867834 +500：￥17.154611 +1000：￥16.341492	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 450 毫欧 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 220µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 770 pF 500 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 73W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-2 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IPD80R450P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 11A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥6.010673 +5000：￥5.78804	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 450 毫欧 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 220µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 770 pF 500 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 73W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-2 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPD80R450P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 11A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥14.703699 +5000：￥14.159078	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 450 毫欧 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 220µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 770 pF 500 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 73W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-2 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IPD80R450P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 11A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥32.06769 +10：￥28.860921 +100：￥23.198722 +500：￥19.060399 +1000：￥15.792808	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： TO-252
IPD80R450P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 11A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥32.06769 +10：￥28.860921 +100：￥23.198722 +500：￥19.060399 +1000：￥15.792808	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： TO-252

Mouser

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	IPD80R450P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 11A TO252 下载数据手册未分类	+1：￥39.193427 +10：￥35.359287 +100：￥28.543038 +500：￥23.430853 +1000：￥22.294812	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 450 毫欧 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 220µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 770 pF 500 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 73W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-2 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD80R450P7ATMA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R 下载数据手册未分类	+1：￥35.165528 +10：￥31.514461 +25：￥31.197203 +100：￥25.073832 +250：￥24.060149	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPD80R450P7ATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	11A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	450 毫欧 4.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 220µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	24 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	770 pF 500 V
FET 功能:	超级结
功率耗散（最大值）:	73W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO252-2
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 150°C（TJ）