IXTA50N20P-TRL厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTA50N20P-TRL 授权代理品牌	N沟道耐压:200V 电流:50A 下载数据手册未分类	+1：￥24.640994 +200：￥9.539507 +500：￥9.200761 +800：￥9.036852	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	类型： N沟道漏源电压(Vdss)： 200V 连续漏极电流(Id)： 50A 功率(Pd)： 360W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 60mΩ@25A,10V

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTA50N20P-TRL IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 50A TO263 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥43.325407 +1600：￥37.097333 +2400：￥34.931085	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 70 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2720 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 360W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263（D2Pak）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTA50N20P-TRL IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 50A TO263 下载数据手册未分类	+800：￥41.674697	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 70 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2720 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 360W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263（D2Pak）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

IXTA50N20P-TRL参数规格

属性	参数值
类型:	N沟道
漏源电压(Vdss):	200V
连续漏极电流(Id):	50A
功率(Pd):	360W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):	60mΩ@25A,10V