IXTA36N30P-TRL厂家价格_数据手册

搜索 IXTA36N30P-TRL 共 7 条相关记录

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTA36N30P-TRL 授权代理品牌	N沟道耐压:300V 电流:36A 类型:N沟道漏源电压(Vdss):300V 连续漏极电流(Id):36A 功率(Pd):300W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):110mΩ@18A,10V 阈值电压(Vgs(th)@Id):5.5V@250uA 下载数据手册未分类	+1：￥24.640994 +200：￥9.539507 +500：￥9.200761 +800：￥9.036852	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	耐压： 300V 电流： 36A 类型： N沟道漏源电压(Vdss)： 300V 连续漏极电流(Id)： 36A 功率(Pd)： 300W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 110mΩ@18A,10V 阈值电压(Vgs(th)@Id)： 5.5V@250uA

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTA36N30P-TRL Littelfuse(力特) 授权代理品牌	IXTA36N30P-TRL LITTELFUSE 下载数据手册未分类	+800：￥21.377739	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTA36N30P-TRL IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 300V 36A TO263 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥17.395939 +1600：￥14.895254 +2400：￥14.025466	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 300 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 36A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110 毫欧 18A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 70 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2250 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263（D2Pak）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTA36N30P-TRL IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	IXTA36N30P TRL 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥42.555075 +1600：￥36.437738 +2400：￥34.310006	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 300 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 36A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110 毫欧 18A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 70 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2250 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263（D2Pak）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IXTA36N30P-TRL Littelfuse(力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 300V 36A TO263 下载数据手册未分类	+800：￥35.307416	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 110mOhm @ 18A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 5.5V @ 250µA Supplier Device Package： TO-263 (D2PAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±30V Drain to Source Voltage (Vdss)： 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2250 pF @ 25 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTA36N30P-TRL IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	IXTA36N30P TRL 下载数据手册未分类	+800：￥40.793918	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 300 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 36A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110 毫欧 18A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 70 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2250 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263（D2Pak）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTA36N30P-TRL Littelfuse 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 下载数据手册未分类	+800：￥35.273783 +4000：￥34.948751 +8000：￥34.623719 +12000：￥34.298685	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXTA36N30P-TRL参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Polar
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	300 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	36A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	110 毫欧 18A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	70 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2250 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	300W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-263（D2Pak）
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-55°C # 150°C（TJ）