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搜索 IRFS3006PBF 共 10 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFS3006PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.41648 +200：￥11.1804 +500：￥8.94432 +1000：￥7.4536	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D2PAK

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFS3006PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.76836 +200：￥5.332508 +500：￥5.146744 +1000：￥5.048399	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D2PAK

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFS3006PBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRFS3006PBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥6.860211 +800：￥6.460011 +2400：￥6.288527 +4000：￥6.002685	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRFS3006PBF 授权代理品牌	IRFS3006PBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+2：￥6.612239 +20：￥6.216678 +100：￥6.16007 +800：￥6.047202	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFS3006PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D2PAK
	IRFS3006PBF International 授权代理品牌	HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： International Rectifier 包装： Bulk 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5mOhm 170A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 300 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8970 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 温度： -55°C # 175°C (TJ)

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFS3006PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D2PAK
	IRFS3006PBF Rochester(罗彻斯特电子) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件,管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Digi-Key 停止提供 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 毫欧 170A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 300 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8970 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	IRFS3006PBF International 授权代理品牌	HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： International Rectifier 包装： Bulk 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5mOhm 170A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 300 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8970 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 温度： -55°C # 175°C (TJ)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFS3006PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D2PAK

IRFS3006PBF参数规格

属性	参数值
系列:	HEXFET®
工作温度:	-55°C # 175°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
封装/外壳:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装:	D2PAK