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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTA140N055T2 授权代理品牌	N沟道耐压:55V 电流:140A 漏源电压(Vdss):55V 连续漏极电流(Id):140A 功率(Pd):250W 类型:N沟道导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.4mΩ@50A,10V 下载数据手册未分类	+1：￥21.01314 +200：￥8.129889 +500：￥7.84578 +1000：￥7.703725	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	耐压： 55V 电流： 140A 漏源电压(Vdss)： 55V 连续漏极电流(Id)： 140A 功率(Pd)： 250W 类型： N沟道导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 5.4mΩ@50A,10V

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTA140N055T2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 140A TO263 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+50：￥14.280749	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： TrenchT2™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 140A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.4 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 82 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4760 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 250W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263（D2Pak）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTA140N055T2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	DISCMSFT NCHTRENCHGATE-GEN2 TO-2 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+50：￥34.934496	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： TrenchT2™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 140A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.4 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 82 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4760 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 250W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263（D2Pak）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTA140N055T2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	DISCMSFT NCHTRENCHGATE-GEN2 TO-2 下载数据手册晶体管	+1：￥50.255386 +10：￥42.149678 +50：￥39.88008 +100：￥34.206085 +250：￥32.260716	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： TrenchT2™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 140A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.4 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 82 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4760 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 250W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263（D2Pak）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

IXTA140N055T2参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	TrenchT2™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	140A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	5.4 毫欧 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	82 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4760 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	250W（Ta）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-263（D2Pak）
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-55°C # 175°C（TJ）