IPD60R280P7ATMA1厂家价格_数据手册

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	IPD60R280P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥11.208835	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 280 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 190µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 761 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 53W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IPD60R280P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥27.410977	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 280 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 190µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 761 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 53W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IPD60R280P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 280 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 190µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 761 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 53W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IPD60R280P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥4.505428 +5000：￥4.336103 +12500：￥4.192526	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 280 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 190µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 761 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 53W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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IPD60R280P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥11.021471 +5000：￥10.607259 +12500：￥10.256028	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 280 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 190µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 761 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 53W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IPD60R280P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥24.398848 +10：￥20.299275 +100：￥16.159983 +500：￥13.673287 +1000：￥11.601653	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ P7 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-3
IPD60R280P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥24.398848 +10：￥20.299275 +100：￥16.159983 +500：￥13.673287 +1000：￥11.601653	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ P7 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-3

Mouser

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	IPD60R280P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3 下载数据手册晶体管	+1：￥28.540063 +10：￥23.67528 +100：￥18.972656 +500：￥15.95649 +1000：￥13.264643	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 280 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 190µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 761 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 53W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IPD60R280P7ATMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+1：￥27.182231 +10：￥13.216189 +50：￥12.091406 +100：￥9.841842 +200：￥9.223214	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

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	IPD60R280P7ATMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET, N-CH, 600V, 12A, 53W, TO-252 下载数据手册未分类	+1：￥19.664944 +10：￥16.318717 +100：￥12.984282 +500：￥10.993041 +1000：￥9.331713	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPD60R280P7ATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ P7
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	280 毫欧 3.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 190µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	18 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	761 pF 400 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	53W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO252-3
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 150°C（TJ）