品牌： Infineon Technologies

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： CoolMOS™ CE

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.1A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 460 毫欧 3.4A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 280µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 28 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 620 pF 100 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 74W（Tc）

工作温度： -40°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： PG-TO252-3

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

温度： -40°C # 150°C（TJ）

品牌： Infineon Technologies

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： CoolMOS™ CE

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.1A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 460 毫欧 3.4A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 280µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 28 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 620 pF 100 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 74W（Tc）

工作温度： -40°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： PG-TO252-3

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

温度： -40°C # 150°C（TJ）