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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF9953TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8SO 下载数据手册射频晶体管	+1：￥10.047719 +10：￥6.69856 +30：￥5.582093	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 250 毫欧 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 190pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF9953TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8SO 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 250 毫欧 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 190pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF9953TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8SO 下载数据手册射频晶体管	+1：￥3.08308	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 250 毫欧 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 190pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF9953TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8SO 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥1.745264 +8000：￥1.624901 +12000：￥1.564719 +28000：￥1.504538	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 250 毫欧 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 190pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF9953TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8SO 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥4.269377 +8000：￥3.974937 +12000：￥3.827717 +28000：￥3.680497	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 250 毫欧 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 190pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF9953TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8SO 下载数据手册射频晶体管	+1：￥10.998423 +10：￥9.713064 +100：￥7.449775 +500：￥5.888794 +1000：￥4.711035	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO
	IRF9953TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8SO 下载数据手册射频晶体管	+1：￥10.998423 +10：￥9.713064 +100：￥7.449775 +500：￥5.888794 +1000：￥4.711035	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF9953TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8SO 下载数据手册未分类	+1：￥14.026278 +10：￥11.866231 +100：￥9.467737 +500：￥7.490032 +1000：￥5.456221	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 250 毫欧 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 190pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF9953TRPBF 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH Si 30V 2.3A 8-Pin SOIC T/R 下载数据手册未分类	+1：￥10.361495 +10：￥8.823761 +25：￥8.736666 +100：￥6.376524 +250：￥5.622648	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRF9953TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	最后售卖
FET 类型:	2 个 P 沟道（双）
FET 功能:	标准
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	2.3A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	250 毫欧 1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	12nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	190pF 15V
功率 - 最大值:	2W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SO
温度:	-55°C # 150°C（TJ）