IPB180N10S403ATMA1厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPB180N10S403ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH TO263-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥55.837991 +10：￥37.225408 +30：￥31.021133	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.3 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 180µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10120 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 250W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-7-3 封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IPB180N10S403ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH TO263-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥11.081108	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.3 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 180µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10120 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 250W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-7-3 封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPB180N10S403ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH TO263-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥27.107327	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.3 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 180µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10120 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 250W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-7-3 封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）温度： -55°C # 175°C（TJ）
IPB180N10S403ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7 下载数据手册未分类	+1000：￥39.945411 +2000：￥37.948223	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 3.3mOhm @ 100A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3.5V @ 180µA Supplier Device Package： PG-TO263-7-3 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 10120 pF @ 25 V
IPB180N10S403ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7 下载数据手册未分类	+1：￥75.585597 +10：￥67.903576 +100：￥55.638407 +500：￥47.363774	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 3.3mOhm @ 100A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3.5V @ 180µA Supplier Device Package： PG-TO263-7-3 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 10120 pF @ 25 V
IPB180N10S403ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7 下载数据手册未分类	+1：￥75.585597 +10：￥67.903576 +100：￥55.638407 +500：￥47.363774	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 3.3mOhm @ 100A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3.5V @ 180µA Supplier Device Package： PG-TO263-7-3 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 10120 pF @ 25 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPB180N10S403ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH TO263-7 下载数据手册未分类	+1：￥88.290241 +10：￥79.317003 +100：￥65.055966 +500：￥56.563439 +1000：￥46.78902	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.3 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 180µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10120 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 250W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-7-3 封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

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	IPB180N10S403ATMA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R 下载数据手册未分类	+1000：￥32.578216	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPB180N10S403ATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	散装,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	180A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3.3 毫欧 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 180µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	140 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	10120 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	250W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO263-7-3
封装/外壳:	TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）
温度:	-55°C # 175°C（TJ）