IAUC70N08S5N074ATMA1厂家价格_数据手册

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	IAUC70N08S5N074ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 70A 8TDSON-33 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥50.471399 +200：￥42.0596 +500：￥33.64768 +1000：￥28.039693	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™-5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 70A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.4 毫欧 35A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 36µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2080 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 83W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8-33 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IAUC70N08S5N074ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 70A 8TDSON-33 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5000：￥8.967035 +10000：￥8.553265	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™-5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 70A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.4 毫欧 35A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 36µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2080 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 83W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8-33 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IAUC70N08S5N074ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 70A 8TDSON-33 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥22.717264 +10：￥18.631015 +100：￥14.484758 +500：￥12.277897 +1000：￥10.001741	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™-5 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-33
IAUC70N08S5N074ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 70A 8TDSON-33 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥22.717264 +10：￥18.631015 +100：￥14.484758 +500：￥12.277897 +1000：￥10.001741	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™-5 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-33

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IAUC70N08S5N074ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 70A 8TDSON-33 下载数据手册未分类	+1：￥25.979997 +10：￥21.404902 +100：￥16.666414 +500：￥14.052073 +1000：￥10.767812	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™-5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 70A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.4 毫欧 35A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 36µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2080 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 83W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8-33 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IAUC70N08S5N074ATMA1 授权代理品牌	N Channel Power MOSFET 下载数据手册未分类	+5000：￥8.906485	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IAUC70N08S5N074ATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™-5
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	70A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	7.4 毫欧 35A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.8V 36µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	30 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2080 pF 40 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	83W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TDSON-8-33
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	-55°C # 175°C（TJ）