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	IRFH5304TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 22A/79A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥7.148075 +300：￥4.83395 +1000：￥3.548325 +4000：￥2.57125 +8000：￥2.442748	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 22A（Ta），79A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 毫欧 47A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 41 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2360 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），46W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	IRFH5304TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 22A/79A 8PQFN 下载数据手册未分类	+1：￥12.9921 +10：￥11.301131 +30：￥10.240337	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 22A（Ta），79A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 毫欧 47A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 41 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2360 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），46W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRFH5304TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 22A/79A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.305664	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 22A（Ta），79A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 毫欧 47A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 41 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2360 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），46W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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IRFH5304TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 22A/79A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.794116 +10：￥3.695139 +30：￥3.629155	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 22A（Ta），79A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 毫欧 47A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 41 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2360 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），46W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFH5304TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 22A/79A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥2.637185 +12000：￥2.590071 +20000：￥2.542955 +40000：￥2.519455	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 22A（Ta），79A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 毫欧 47A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 41 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2360 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），46W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFH5304TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 22A/79A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥2.833866 +500：￥2.786635 +1000：￥2.763019 +3000：￥2.715788	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 22A（Ta），79A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 毫欧 47A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 41 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2360 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），46W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFH5304TRPBF 授权代理品牌	IRFH5304TRPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥3.36811 +100：￥3.228037 +500：￥3.086691 +1000：￥2.946619	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFH5304TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 22A/79A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥3.117253 +500：￥3.065276 +1000：￥3.039345 +3000：￥2.987368	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 22A（Ta），79A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 毫欧 47A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 41 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2360 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），46W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IRFH5304TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 22A/79A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥2.130566	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 22A（Ta），79A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 毫欧 47A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 41 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2360 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），46W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	IRFH5304TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 22A/79A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥5.211927	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 22A（Ta），79A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 毫欧 47A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 41 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2360 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），46W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRFH5304TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	22A（Ta），79A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	4.5 毫欧 47A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.35V 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	41 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2360 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.6W（Ta），46W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-PQFN（5x6）
封装/外壳:	8-PowerVDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFH5304TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 22A/79A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.794116 +10：￥3.695139 +30：￥3.629155	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 22A（Ta），79A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 毫欧 47A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 41 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2360 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），46W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFH5304TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 22A/79A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥2.637185 +12000：￥2.590071 +20000：￥2.542955 +40000：￥2.519455	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 22A（Ta），79A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 毫欧 47A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 41 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2360 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），46W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFH5304TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 22A/79A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥2.833866 +500：￥2.786635 +1000：￥2.763019 +3000：￥2.715788	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 22A（Ta），79A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 毫欧 47A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 41 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2360 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），46W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFH5304TRPBF 授权代理品牌	IRFH5304TRPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥3.36811 +100：￥3.228037 +500：￥3.086691 +1000：￥2.946619	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFH5304TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 22A/79A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥3.117253 +500：￥3.065276 +1000：￥3.039345 +3000：￥2.987368	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 22A（Ta），79A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 毫欧 47A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 41 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2360 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），46W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）