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IDL08G65C5XUMA1参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | Infineon Technologies |
包装: | 卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | CoolSiC™+ |
零件状态: | Digi-Key 停止提供 |
二极管类型: | 碳化硅肖特基 |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): | 650 V |
电流 - 平均整流 (Io): | 8A(DC) |
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): | 1.7 V 8 A |
速度: | 无恢复时间 > 500mA(Io) |
反向恢复时间 (trr): | 0 ns |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: | 140 µA 650 V |
不同 Vr、F 时电容: | 250pF 1V,1MHz |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 4-PowerTSFN |
供应商器件封装: | PG-VSON-4 |
工作温度 - 结: | -55°C # 150°C |
温度: |