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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IDL06G65C5XUMA1_二极管整流器
IDL06G65C5XUMA1
授权代理品牌

DIODE SCHOTTKY 650V 6A VSON-4

二极管整流器

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: CoolSiC™+

零件状态: Digi-Key 停止提供

二极管类型: 碳化硅肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 650 V

电流 - 平均整流 (Io): 6A(DC)

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.7 V 6 A

速度: 无恢复时间 > 500mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 0 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 110 µA 650 V

不同 Vr、F 时电容: 190pF 1V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 4-PowerTSFN

供应商器件封装: PG-VSON-4

工作温度 - 结: -55°C # 150°C

温度:

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IDL06G65C5XUMA1_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE SCHOTTKY 650V 6A VSON-4

二极管整流器

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: CoolSiC™+

零件状态: Digi-Key 停止提供

二极管类型: 碳化硅肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 650 V

电流 - 平均整流 (Io): 6A(DC)

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.7 V 6 A

速度: 无恢复时间 > 500mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 0 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 110 µA 650 V

不同 Vr、F 时电容: 190pF 1V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 4-PowerTSFN

供应商器件封装: PG-VSON-4

工作温度 - 结: -55°C # 150°C

温度:

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IDL06G65C5XUMA1_二极管整流器
IDL06G65C5XUMA1
授权代理品牌

DIODE SCHOTTKY 650V 6A VSON-4

二极管整流器

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: CoolSiC™+

零件状态: Digi-Key 停止提供

二极管类型: 碳化硅肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 650 V

电流 - 平均整流 (Io): 6A(DC)

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.7 V 6 A

速度: 无恢复时间 > 500mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 0 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 110 µA 650 V

不同 Vr、F 时电容: 190pF 1V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 4-PowerTSFN

供应商器件封装: PG-VSON-4

工作温度 - 结: -55°C # 150°C

温度:

IDL06G65C5XUMA1参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: CoolSiC™+
零件状态: Digi-Key 停止提供
二极管类型: 碳化硅肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 650 V
电流 - 平均整流 (Io): 6A(DC)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.7 V 6 A
速度: 无恢复时间 > 500mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 0 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 110 µA 650 V
不同 Vr、F 时电容: 190pF 1V,1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 4-PowerTSFN
供应商器件封装: PG-VSON-4
工作温度 - 结: -55°C # 150°C
温度: