IPD042P03L3GATMA1厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD042P03L3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.6722	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 70A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.2 毫欧 70A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 270µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 175 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12400 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPD042P03L3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥4.855748 +5000：￥4.709095	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 70A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.2 毫欧 70A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 270µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 175 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12400 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPD042P03L3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥11.878445 +5000：￥11.519693	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 70A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.2 毫欧 70A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 270µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 175 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12400 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IPD042P03L3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥40.082332 +10：￥25.808738 +100：￥17.689771 +500：￥14.211483 +1000：￥13.091778	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-3
IPD042P03L3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥40.082332 +10：￥25.808738 +100：￥17.689771 +500：￥14.211483 +1000：￥13.091778	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-3

Mouser

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	IPD042P03L3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3 下载数据手册未分类	+1：￥32.519183 +10：￥28.401034 +100：￥23.430853 +250：￥22.720827 +500：￥19.312704	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 70A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.2 毫欧 70A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 270µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 175 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12400 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

IPD042P03L3GATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	70A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	4.2 毫欧 70A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 270µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	175 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	12400 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	150W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO252-3
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 175°C（TJ）