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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7306TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+10：￥7.321952 +300：￥5.476097 +1000：￥4.245527 +4000：￥3.076425 +8000：￥2.922634	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 1.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 440pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRF7306TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥4.979271	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 1.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 440pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7306TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC 下载数据手册未分类	+4000：￥3.230795	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 1.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 440pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF7306TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC 下载数据手册未分类	+1：￥6.190295 +30：￥4.721348 +100：￥4.255485 +500：￥4.095911 +2000：￥3.98071	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 1.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 440pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF7306TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+10：￥2.778416 +50：￥2.731301 +200：￥2.707801 +1000：￥2.684301 +3000：￥2.637185	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 1.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 440pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF7306TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥5.122491 +8000：￥4.992258 +20000：￥4.905436 +40000：￥4.124039	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 1.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 440pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF7306TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRF7306TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+20：￥1.858567 +100：￥1.780312 +500：￥1.703561 +1000：￥1.625306	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRF7306TRPBF 授权代理品牌	IRF7306TRPBF BYCHIP/百域芯下载数据手册未分类	+10：￥1.51892 +500：￥1.402115 +2000：￥1.285196 +6000：￥1.168507	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRF7306TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+10：￥3.520106 +100：￥3.489545 +500：￥3.458868 +1000：￥3.39763 +30000：￥2.907954	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 1.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 440pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IRF7306TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥2.296861 +8000：￥2.139013 +12000：￥2.102116	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 1.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 440pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRF7306TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	2 个 P 沟道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.6A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	100 毫欧 1.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	25nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	440pF 25V
功率 - 最大值:	2W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SO
温度:	-55°C # 150°C（TJ）