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	IRF7105TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥1.719239 +10：￥1.56974 +30：￥1.53984	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 25V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A，2.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 330pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRF7105TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+10：￥4.75167 +300：￥3.213397 +1000：￥2.358774 +4000：￥1.709246 +8000：￥1.62382	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 25V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A，2.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 330pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRF7105TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥2.84592	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 25V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A，2.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 330pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRF7105TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC 下载数据手册未分类	+1：￥2.526519 +10：￥2.165634 +30：￥1.894864 +100：￥1.595741 +500：￥1.515954	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 25V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A，2.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 330pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF7105TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRF7105TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥1.438802 +500：￥1.413717 +8000：￥1.376196 +16000：￥1.351216 +28000：￥1.251087	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRF7105TRPBF TECH PUBLIC(台舟电子) 授权代理品牌	IRF7105TRPBF TECH PUBLIC/台湾台舟电子下载数据手册未分类	+3000：￥1.227266 +9000：￥1.207662 +30000：￥1.17815 +36000：￥1.10943	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRF7105TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC 下载数据手册未分类	+1：￥3.842216 +30：￥2.930514 +100：￥2.641299 +500：￥2.542329 +2000：￥2.470764	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 25V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A，2.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 330pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF7105TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC 下载数据手册未分类	+50：￥0.863218 +150：￥0.848251 +500：￥0.825697 +19700：￥0.81073 +28100：￥0.758136	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 25V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A，2.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 330pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF7105TRPBF 授权代理品牌	IRF7105TRPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+20：￥1.80138 +50：￥1.725556 +100：￥1.651121 +8000：￥1.575296	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7105TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥1.603062 +8000：￥1.518666 +12000：￥1.406177 +28000：￥1.392276	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 25V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A，2.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 330pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRF7105TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 和 P 沟道
FET 功能:	标准
漏源电压（Vdss）:	25V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.5A，2.3A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	100 毫欧 1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	27nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	330pF 15V
功率 - 最大值:	2W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SO
温度:	-55°C # 150°C（TJ）