品牌： Infineon Technologies

包装： 剪切带（CT）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 55 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 3.4A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 690 pF 25 V

FET 功能： 肖特基二极管（隔离式）

功率耗散（最大值）： -

工作温度： -

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-SO

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

温度： -

品牌： Infineon Technologies

包装： 剪切带（CT）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 55 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 3.4A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 690 pF 25 V

FET 功能： 肖特基二极管（隔离式）

功率耗散（最大值）： -

工作温度： -

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-SO

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

温度： -