搜索 IPL60R360P6SATMA1 共 7 条相关记录
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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IPL60R360P6SATMA1 授权代理品牌 | +1: ¥30.726268 +10: ¥27.361173 +100: ¥21.760948 +500: ¥17.154276 +1000: ¥16.333447 |
Digi-Key
Mouser
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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IPL60R360P6SATMA1 授权代理品牌 | +1: ¥32.290098 +10: ¥29.114023 +100: ¥23.423555 +500: ¥19.188788 +1000: ¥18.262433 |
艾睿
IPL60R360P6SATMA1参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | Infineon Technologies |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | CoolMOS™ P6 |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 600 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 11.3A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 360 毫欧 4.5A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4.5V 370µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 22 nC 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 1010 pF 100 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 89.3W(Tc) |
工作温度: | -40°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | 8-ThinPak(5x6) |
封装/外壳: | 8-PowerTDFN |
温度: | -40°C # 150°C(TJ) |