类型： -

漏源电压(Vdss)： -

连续漏极电流(Id)： -

功率(Pd)： -

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： -

阈值电压(Vgs(th)@Id)： -

栅极电荷(Qg@Vgs)： -

输入电容(Ciss@Vds)： -

反向传输电容(Crss@Vds)： -

品牌： Infineon Technologies

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： HEXFET®

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.8V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12 毫欧 11A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 32 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2530 pF 15 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-SO

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Infineon Technologies

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： HEXFET®

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.8V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12 毫欧 11A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 32 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2530 pF 15 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-SO

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

温度： -55°C # 150°C（TJ）