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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFH7188TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 18A 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.330841 +200：￥5.275721 +500：￥4.22048 +1000：￥3.517107	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： FASTIRFET™, HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Ta），105A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 50 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2116 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），132W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRFH7188TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 18A 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： FASTIRFET™, HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Ta），105A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 50 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2116 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），132W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRFH7188TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 18A 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： FASTIRFET™, HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Ta），105A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 50 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2116 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），132W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFH7188TRPBF Rochester(罗彻斯特电子) 授权代理品牌	HEXFET POWER MOSFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： FASTIRFET™, HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： PQFN (5x6)
IRFH7188TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 18A 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： FASTIRFET™, HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Ta），105A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 50 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2116 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），132W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFH7188TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 18A 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： FASTIRFET™, HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： PQFN (5x6)
IRFH7188TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 18A 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥34.147336	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： FASTIRFET™, HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： PQFN (5x6)

Mouser

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	IRFH7188TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 18A 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： FASTIRFET™, HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Ta），105A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 50 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2116 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），132W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRFH7188TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	FASTIRFET™, HEXFET®
零件状态:	停产
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	18A（Ta），105A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	6 毫欧 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.9V 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	50 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2116 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.8W（Ta），132W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PQFN（5x6）
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）