IPD70N10S3L12ATMA1厂家价格_数据手册

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	IPD70N10S3L12ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥24.619139 +10：￥21.504867 +30：￥19.658159	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 70A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.5 毫欧 70A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 83µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 77 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5550 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 125W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-11 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPD70N10S3L12ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.90936	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 70A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.5 毫欧 70A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 83µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 77 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5550 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 125W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-11 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPD70N10S3L12ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3 下载数据手册未分类	+2500：￥39.891413	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 70A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.5 毫欧 70A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 83µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 77 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5550 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 125W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-11 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	IPD70N10S3L12ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3 下载数据手册未分类	+1：￥27.244199 +10：￥24.252146 +100：￥19.295893 +500：￥15.195885 +1000：￥12.670277	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 70A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.5 毫欧 70A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 83µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 77 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5550 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 125W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-11 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IPD70N10S3L12ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥7.439388	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 70A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.5 毫欧 70A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 83µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 77 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5550 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 125W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-11 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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IPD70N10S3L12ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥15.361666	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 70A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.5 毫欧 70A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 83µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 77 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5550 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 125W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-11 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IPD70N10S3L12ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥47.578756 +10：￥30.964438 +100：￥21.485403 +500：￥17.433102 +1000：￥16.131188	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-3
IPD70N10S3L12ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥47.578756 +10：￥30.964438 +100：￥21.485403 +500：￥17.433102 +1000：￥16.131188	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-3

Mouser

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	IPD70N10S3L12ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 70A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.5 毫欧 70A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 83µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 77 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5550 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 125W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-11 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

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	IPD70N10S3L12ATMA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 下载数据手册未分类	+2500：￥14.900426	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPD70N10S3L12ATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	70A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	11.5 毫欧 70A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.4V 83µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	77 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	5550 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	125W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO252-3-11
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 175°C（TJ）