品牌： Infineon Technologies

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： HEXFET®

零件状态： 停产

FET 类型： 2 个 N 通道（半桥）

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.6A，11A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16.2 毫欧 7.6A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.25V 25µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 910pF 15V

功率 - 最大值： 1.4W，2W

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

供应商器件封装： 8-SO

温度： -55°C # 150°C（TJ）