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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7317TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥5.157716 +30：￥4.970842 +100：￥4.597094 +500：￥4.223347 +1000：￥4.036473	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.6A，5.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 900pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7317TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+10：￥8.57769 +300：￥5.80074 +1000：￥4.25799 +4000：￥3.0855 +8000：￥2.931225	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.6A，5.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 900pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7317TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥4.64409 +10：￥3.879181 +30：￥3.496726 +100：￥3.125199 +500：￥2.469563	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.6A，5.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 900pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7317TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥4.26888	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.6A，5.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 900pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7317TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC 下载数据手册未分类	+1：￥4.477349 +100：￥4.439406 +1000：￥4.363519 +3000：￥4.287631	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.6A，5.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 900pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF7317TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC 下载数据手册未分类	+100：￥3.116438 +500：￥3.038549 +1000：￥2.960658 +3000：￥2.921661	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.6A，5.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 900pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7317TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥2.850998 +8000：￥2.708445 +12000：￥2.656194	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.6A，5.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 900pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7317TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥6.974295 +8000：￥6.625574 +12000：￥6.497754	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.6A，5.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 900pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF7317TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥16.441616 +10：￥14.691379 +100：￥11.45742 +500：￥9.465068 +1000：￥7.47245	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO
	IRF7317TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥16.441616 +10：￥14.691379 +100：￥11.45742 +500：￥9.465068 +1000：￥7.47245	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO

IRF7317TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 和 P 沟道
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	6.6A，5.3A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	29 毫欧 6A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	700mV 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	27nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	900pF 15V
功率 - 最大值:	2W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SO
温度:	-55°C # 150°C（TJ）