品牌： Infineon Technologies

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： HEXFET®

零件状态： 停产

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.6 毫欧 15A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 25µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1380pF 15V

功率 - 最大值： 2.7W

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： DirectFET™ 等容 MA

供应商器件封装： DIRECTFET™ MA

温度： -55°C # 175°C（TJ）