品牌： Infineon Technologies

包装： 剪切带（CT）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： 2 个 P 沟道（双）

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.3A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 170 毫欧 3.1A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 10µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.7nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 160pF 25V

功率 - 最大值： 1.4W

工作温度： -

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 6-PowerVDFN

供应商器件封装： 6-PQFN 双通道（2x2）

温度： -