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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7328TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+10：￥13.017744 +100：￥10.604016 +300：￥8.504928 +500：￥7.593696 +1000：￥7.048512	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 21 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 78nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2675pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7328TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC 下载数据手册未分类	+1：￥42.683826 +10：￥38.503668 +30：￥36.014478 +100：￥33.504283 +500：￥32.33846	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 21 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 78nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2675pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF7328TRPBF TECH PUBLIC(台舟电子) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1：￥2.589763 +10：￥2.087109 +30：￥1.868563 +100：￥1.595381 +500：￥1.475181	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7328TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥4.50604	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 21 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 78nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2675pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7328TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥4.618838 +8000：￥4.387903 +12000：￥4.222912	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 21 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 78nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2675pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7328TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥7.981338 +8000：￥7.582283 +12000：￥7.297177	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 21 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 78nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2675pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF7328TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥18.837535 +10：￥16.815101 +100：￥13.112311 +500：￥10.83193	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO
	IRF7328TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥18.837535 +10：￥16.815101 +100：￥13.112311 +500：￥10.83193	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7328TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC 下载数据手册未分类	+1：￥21.598392 +10：￥19.345801 +100：￥15.105624 +500：￥12.429014 +1000：￥9.805406	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 21 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 78nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2675pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7328TRPBF 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH Si 30V 8A 8-Pin SOIC T/R 下载数据手册未分类	+4000：￥6.631586	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRF7328TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	2 个 P 沟道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	8A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	21 毫欧 8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	78nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2675pF 25V
功率 - 最大值:	2W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SO
温度:	-55°C # 150°C（TJ）