IRFH7911TRPBF厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

锐单电子商城，一站式电子元器件采购平台！

电话：400-990-0325

搜索 IRFH7911TRPBF 共 5 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFH7911TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN 下载数据手册射频晶体管	+1：￥14.694361 +200：￥12.245321 +500：￥9.79616 +1000：￥8.163507	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A，28A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.6 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1060pF 15V 功率 - 最大值： 2.4W，3.4W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 18-PowerVQFN 供应商器件封装： PQFN（5x6）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFH7911TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN 下载数据手册	+1：￥14.629811 +200：￥5.665206 +500：￥5.463635 +1000：￥5.368154	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A，28A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.6 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1060pF 15V 功率 - 最大值： 2.4W，3.4W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 18-PowerVQFN 供应商器件封装： PQFN（5x6）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFH7911TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A，28A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.6 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1060pF 15V 功率 - 最大值： 2.4W，3.4W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 18-PowerVQFN 供应商器件封装： PQFN（5x6）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFH7911TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A，28A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.6 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1060pF 15V 功率 - 最大值： 2.4W，3.4W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 18-PowerVQFN 供应商器件封装： PQFN（5x6）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFH7911TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN 下载数据手册晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A，28A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.6 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1060pF 15V 功率 - 最大值： 2.4W，3.4W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 18-PowerVQFN 供应商器件封装： PQFN（5x6）温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRFH7911TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	最后售卖
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	13A，28A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	8.6 毫欧 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.35V 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	12nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1060pF 15V
功率 - 最大值:	2.4W，3.4W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	18-PowerVQFN
供应商器件封装:	PQFN（5x6）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）