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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7309TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+10：￥7.833744 +100：￥6.381216 +300：￥5.118048 +500：￥4.569696 +1000：￥4.241664	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A，3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 2.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 520pF 15V 功率 - 最大值： 1.4W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7309TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥5.190453 +10：￥4.349053 +30：￥3.92289 +100：￥3.507654 +500：￥2.84109	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A，3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 2.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 520pF 15V 功率 - 最大值： 1.4W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF7309TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	N+P沟道 30V 8A 下载数据手册未分类	+1：￥2.917581 +10：￥2.371218 +30：￥2.141745 +100：￥1.846709 +500：￥1.507963	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRF7309TRPBF TECH PUBLIC(台舟电子) 授权代理品牌	IRF7309TRPBF 下载数据手册未分类	+5：￥1.890854 +50：￥1.546646 +150：￥1.399127 +500：￥1.215003 +3000：￥0.999517	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7309TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥2.869636	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A，3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 2.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 520pF 15V 功率 - 最大值： 1.4W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7309TRPBF UDU SEMICONDUTOR 授权代理品牌	IRF7309TRPBF UDU SEMICONDUTOR 下载数据手册未分类	+500：￥0.682999 +1000：￥0.639009 +2000：￥0.596408	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRF7309TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥3.913236 +100：￥3.13809 +1000：￥2.800526 +2000：￥2.637996 +4000：￥2.512972	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A，3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 2.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 520pF 15V 功率 - 最大值： 1.4W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF7309TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+10：￥2.833866 +500：￥2.786635 +1000：￥2.763019 +3000：￥2.715788	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A，3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 2.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 520pF 15V 功率 - 最大值： 1.4W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF7309TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRF7309TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥1.621023 +20：￥1.524824 +100：￥1.497388 +500：￥1.469836	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7309TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥2.493375 +8000：￥2.374609 +12000：￥2.265001 +28000：￥2.260673	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A，3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 2.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 520pF 15V 功率 - 最大值： 1.4W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRF7309TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 和 P 沟道
FET 功能:	标准
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	4A，3A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	50 毫欧 2.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	25nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	520pF 15V
功率 - 最大值:	1.4W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SO
温度:	-55°C # 150°C（TJ）