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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7530TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.4A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 5.4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1310pF 15V 功率 - 最大值： 1.3W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）供应商器件封装： Micro8™ 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRF7530TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8 下载数据手册射频晶体管	+1：￥3.897773	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.4A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 5.4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1310pF 15V 功率 - 最大值： 1.3W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）供应商器件封装： Micro8™ 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRF7530TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8 下载数据手册未分类	+5：￥8.493738 +10：￥7.570683 +50：￥7.492142 +100：￥5.871935 +200：￥5.852272	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.4A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 5.4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1310pF 15V 功率 - 最大值： 1.3W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）供应商器件封装： Micro8™ 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF7530TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8 下载数据手册未分类	+5：￥8.506027 +100：￥6.568303 +500：￥5.369181 +1000：￥4.517294	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.4A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 5.4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1310pF 15V 功率 - 最大值： 1.3W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）供应商器件封装： Micro8™ 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7530TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥2.729474 +8000：￥2.592987 +12000：￥2.495516 +28000：￥2.417552	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.4A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 5.4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1310pF 15V 功率 - 最大值： 1.3W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）供应商器件封装： Micro8™ 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7530TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥4.716522 +8000：￥4.480673 +12000：￥4.312242 +28000：￥4.177523	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.4A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 5.4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1310pF 15V 功率 - 最大值： 1.3W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）供应商器件封装： Micro8™ 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF7530TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8 下载数据手册射频晶体管	+1：￥11.156693 +10：￥9.933056 +100：￥7.748503 +500：￥6.401063 +1000：￥5.053382	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118#, 3.00mm Width) 供应商器件封装： Micro8™
	IRF7530TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8 下载数据手册射频晶体管	+1：￥11.156693 +10：￥9.933056 +100：￥7.748503 +500：￥6.401063 +1000：￥5.053382	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118#, 3.00mm Width) 供应商器件封装： Micro8™

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7530TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8 下载数据手册未分类	+1：￥13.44212 +10：￥10.326711 +100：￥8.397372 +500：￥7.116416 +1000：￥5.803833	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.4A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 5.4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1310pF 15V 功率 - 最大值： 1.3W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）供应商器件封装： Micro8™ 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7530TRPBF 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 20V 5.4A 8-Pin Micro T/R 下载数据手册未分类	+4000：￥4.265522 +8000：￥4.092443 +12000：￥4.051967 +28000：￥4.011488	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRF7530TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	标准
漏源电压（Vdss）:	20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	5.4A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	30 毫欧 5.4A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	26nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1310pF 15V
功率 - 最大值:	1.3W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）
供应商器件封装:	Micro8™
温度:	-55°C # 150°C（TJ）