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IRF7504TRPBF_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 20V 1.7A MICRO8

射频晶体管

+1:

¥14.566051

+10:

¥12.741197

+30:

¥11.604761

+100:

¥10.435543

+500:

¥9.911034

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: 停产

FET 类型: 2 个 P 沟道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.7A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 270 毫欧 1.2A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 700mV 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 8.2nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 240pF 15V

功率 - 最大值: 1.25W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-TSSOP,8-MSOP(0.118,3.00mm 宽)

供应商器件封装: Micro8™

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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IRF7504TRPBF_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 20V 1.7A MICRO8

射频晶体管

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¥8.032706

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: 停产

FET 类型: 2 个 P 沟道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.7A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 270 毫欧 1.2A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 700mV 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 8.2nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 240pF 15V

功率 - 最大值: 1.25W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-TSSOP,8-MSOP(0.118,3.00mm 宽)

供应商器件封装: Micro8™

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
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IRF7504TRPBF_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 20V 1.7A MICRO8

射频晶体管

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: 停产

FET 类型: 2 个 P 沟道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.7A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 270 毫欧 1.2A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 700mV 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 8.2nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 240pF 15V

功率 - 最大值: 1.25W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-TSSOP,8-MSOP(0.118,3.00mm 宽)

供应商器件封装: Micro8™

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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IRF7504TRPBF_射频晶体管
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MOSFET 2P-CH 20V 1.7A MICRO8

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: 停产

FET 类型: 2 个 P 沟道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.7A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 270 毫欧 1.2A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 700mV 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 8.2nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 240pF 15V

功率 - 最大值: 1.25W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-TSSOP,8-MSOP(0.118,3.00mm 宽)

供应商器件封装: Micro8™

温度: -55°C # 150°C(TJ)

IRF7504TRPBF_射频晶体管
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MOSFET 2P-CH 20V 1.7A MICRO8

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: HEXFET®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118#, 3.00mm Width)

供应商器件封装: Micro8™

IRF7504TRPBF_射频晶体管
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MOSFET 2P-CH 20V 1.7A MICRO8

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: HEXFET®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118#, 3.00mm Width)

供应商器件封装: Micro8™

Mouser
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授权代理品牌

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: 停产

FET 类型: 2 个 P 沟道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.7A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 270 毫欧 1.2A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 700mV 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 8.2nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 240pF 15V

功率 - 最大值: 1.25W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-TSSOP,8-MSOP(0.118,3.00mm 宽)

供应商器件封装: Micro8™

温度: -55°C # 150°C(TJ)

IRF7504TRPBF参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: HEXFET®
零件状态: 停产
FET 类型: 2 个 P 沟道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.7A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 270 毫欧 1.2A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 700mV 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 8.2nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 240pF 15V
功率 - 最大值: 1.25W
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-TSSOP,8-MSOP(0.118,3.00mm 宽)
供应商器件封装: Micro8™
温度: -55°C # 150°C(TJ)