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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD60R3K3C6 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3 下载数据手册	+1：￥7.171684 +10：￥6.269919 +30：￥5.771296 +100：￥5.3045 +500：￥5.007448	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.3 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 40µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 93 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 18.1W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IPD60R3K3C6 ISC(无锡固电) 授权代理品牌	"场效应晶体管" 下载数据手册	+1：￥3.81924 +200：￥1.48526 +500：￥1.432215 +1000：￥1.400388	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPD60R3K3C6 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3 下载数据手册未分类	+2500：￥4.806194	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.3 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 40µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 93 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 18.1W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IPD60R3K3C6 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IPD60R3K3C6 VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥2.143815 +2500：￥2.018813 +7500：￥1.965164 +12500：￥1.875891	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IPD60R3K3C6 ISC(无锡固电) 授权代理品牌	IPD60R3K3C6 ISC/无锡固电半导体下载数据手册未分类	+10：￥2.949487 +1000：￥1.541777 +2500：￥1.474744	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD60R3K3C6 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.3 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 40µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 93 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 18.1W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPD60R3K3C6 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.3 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 40µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 93 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 18.1W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IPD60R3K3C6 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-3
IPD60R3K3C6 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-3

Mouser

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	IPD60R3K3C6 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.3 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 40µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 93 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 18.1W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IPD60R3K3C6参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™
零件状态:	停产
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1.7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3.3 欧姆 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 40µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	4.6 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	93 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	18.1W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO252-3
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 150°C（TJ）