品牌： International Rectifier

包装： Tube

封装/外壳： *

系列： HEXFET®

零件状态： Obsolete

FET 类型： 2 N-Channel (Dual)

FET 功能： Logic Level Gate

漏源电压（Vdss）： 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.9A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18.3mOhm 8.9A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.4nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 540pF 10V

功率 - 最大值： 2W

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装： 8-SO

温度： -55°C # 150°C (TJ)

品牌： Infineon

包装： Tube

封装/外壳： SOIC-8

系列：

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 20 V

Id-连续漏极电流： 8.9 A

Rds On-漏源导通电阻： 27 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 2.5 V

Qg-栅极电荷： 4.9 nC

Pd-功率耗散： 2 W

通道模式： Enhancement

商标： Infineon / IR

配置： Dual

下降时间： 3.6 ns

正向跨导 - 最小值： 12 S

高度： 1.75 mm

长度： 4.9 mm

产品类型： MOSFET

上升时间： 12 ns

晶体管类型： 2 N-Channel

类型： HEXFET Power MOSFET

典型关闭延迟时间： 7.1 ns

典型接通延迟时间： 6 ns

宽度： 3.9 mm

零件号别名： SP001560128

单位重量： 540 mg

温度： - 55 C~+ 150 C