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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF9395MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 14A DIRECTFET 下载数据手册射频晶体管	+1：￥22.592999 +10：￥15.06208 +30：￥12.551693	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 64nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3241pF 15V 功率 - 最大值： 2.1W 工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： DirectFET™ 等距 MC 供应商器件封装： DIRECTFET™ MC 温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF9395MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 14A DIRECTFET 下载数据手册未分类	+1：￥9.48487 +10：￥9.266325 +30：￥9.12427	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 64nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3241pF 15V 功率 - 最大值： 2.1W 工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： DirectFET™ 等距 MC 供应商器件封装： DIRECTFET™ MC 温度： -40°C # 150°C（TJ）

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	IRF9395MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 14A DIRECTFET 下载数据手册射频晶体管	+1：￥8.401393	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 64nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3241pF 15V 功率 - 最大值： 2.1W 工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： DirectFET™ 等距 MC 供应商器件封装： DIRECTFET™ MC 温度： -40°C # 150°C（TJ）

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	IRF9395MTRPBF International 授权代理品牌	DIRECTFET DUAL P-CHANNEL POWER M 下载数据手册未分类	+389：￥7.513256 +1943：￥7.365448	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	Packaging： Bulk Package / Case： DirectFET™ Isometric MC Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -40°C # 150°C (TJ) Power - Max： 2.1W (Ta), 57W (Tc) FET Type： 2 P-Channel (Dual) Drain to Source Voltage (Vdss)： 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 14A (Ta), 75A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 3241pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs： 7mOhm @ 14A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 64nC @ 4.5V FET Feature： Standard Vgs(th) (Max) @ Id： 2.4V @ 50µA Supplier Device Package： DirectFET™ Isometric MC Part Status： Active
	IRF9395MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 14A DIRECTFET 下载数据手册未分类	+290：￥8.606144	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 64nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3241pF 15V 功率 - 最大值： 2.1W 工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： DirectFET™ 等距 MC 供应商器件封装： DIRECTFET™ MC 温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF9395MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 14A DIRECTFET 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 64nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3241pF 15V 功率 - 最大值： 2.1W 工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： DirectFET™ 等距 MC 供应商器件封装： DIRECTFET™ MC 温度： -40°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF9395MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 14A DIRECTFET 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 64nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3241pF 15V 功率 - 最大值： 2.1W 工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： DirectFET™ 等距 MC 供应商器件封装： DIRECTFET™ MC 温度： -40°C # 150°C（TJ）
	IRF9395MTRPBF International 授权代理品牌	DIRECTFET DUAL P-CHANNEL POWER M 下载数据手册未分类	+292：￥14.354463	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： DirectFET™ Isometric MC Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -40°C # 150°C (TJ) Power - Max： 2.1W (Ta), 57W (Tc) FET Type： 2 P-Channel (Dual) Drain to Source Voltage (Vdss)： 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 14A (Ta), 75A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 3241pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs： 7mOhm @ 14A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 64nC @ 4.5V FET Feature： Standard Vgs(th) (Max) @ Id： 2.4V @ 50µA Supplier Device Package： DirectFET™ Isometric MC Part Status： Active

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF9395MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 14A DIRECTFET 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 64nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3241pF 15V 功率 - 最大值： 2.1W 工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： DirectFET™ 等距 MC 供应商器件封装： DIRECTFET™ MC 温度： -40°C # 150°C（TJ）

IRF9395MTRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	停产
FET 类型:	2 个 P 沟道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	14A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	7 毫欧 14A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.4V 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	64nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3241pF 15V
功率 - 最大值:	2.1W
工作温度:	-40°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	DirectFET™ 等距 MC
供应商器件封装:	DIRECTFET™ MC
温度:	-40°C # 150°C（TJ）